⑴ 电容去离子是个神马
超级来电容是通过物理原理做的源电池，而二次电池多是用化学原理做的化学电池。所以两者本质上就是两回事，一个是物理上的电荷转移，一个是把化学能转变成电能。 使用上，超级电容内阻更小，所以瞬间放出的电流可以更大。
⑵ 半导体制造对去离子水的要求
可以饮用，但必须确保是去离子水而不是无色无味的化学药液。
带RO反渗膜的家用净水机和超市卖的不添加氯化镁/钙的纯净水其实就是去离子水。半导体工厂的去离子水和超市里的纯净水都是经过反渗膜过滤的去离子水，不过半导体工厂的去离子水杂质和离子去除率更高。
长期大量喝纯净水/去离子水会导致矿物质缺乏，如缺钙，但不是很严重，食物里还是含有很多矿物质。
据说很多实验室会用某哈哈纯净水代替去离子水，效果不错，杂质少离子少，价格比专门买去离子水便宜很多。
半导体从业者对芯片都有一定程度的了解，但我相信除了在晶圆厂的人外，很少有人对工艺流程有深入的了解。在这里我来给大家做一个科普。首先要做一些基本常识科普：半导体元件制造过程可分为前段制程（包括晶圆处理制程、晶圆针测制程）；还有后段（包括封装、测试制程）。
零、概念理解 所谓晶圆处理制程，主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
晶圆针测制程则是在制造好晶圆之后，晶圆上即形成一格格的小格 ，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆 上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性， 而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针测制程（Wafer Probe）。然後晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
IC封装制程（Packaging）：利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路；目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。而后段的测试则是对封装好的芯片进行测试，以保证其良率。
⑶ 电容去离子技术缺点
成本高。电容去离子技术缺点是成本高，由于电容去离子技术是利用电极吸附离子进行金属离子的去除，因此必须定期进行脱附处理以保证电极的清洁，使得电容去离子模块存在吸附和脱附两个工作模式。
⑷ 影响电容去离子脱盐性能的最主要因素
电极材料。
极材料的孔径分布、比表面积、比电容和电阻等对电容吸附效果都有影响。在吸脱附离子过程中，施加的电压不能太高，不超过2V。以活性炭为活性吸附材料，分别选取石墨、碳纳米管和炭黑作为导电剂制备电极，深入探究了3种导电剂及其掺杂量对电容去离子脱盐性能的影响。实验结果表明，掺杂适量炭黑和碳纳米管能显著提升电极的吸附容量、脱盐速度及降低脱盐能耗。活性炭与炭黑质量比为8∶1时，电极吸附容量可达15.84。