电容去离子技术发展史

Ⅰ EDI电去离子设备

西门子EDI模块INPURELX-Z连续生产高纯水，不需要化学药剂。针对工业应用而开发。

EDI电去离回子设备

INPURELX-Z工业型膜堆利答用连续电去离子技术(CEDI)生产高纯水，其产水水质等同甚至优于混床出水。INPURE膜堆可极其可靠的为电力、电子、太阳能、HPI/CPI、食品和饮料行业，以及实验室提供高品质的高纯水且不需要停机再生。

Ⅱ 大家了解陶瓷介质电容器的发展史吗

1900年发明陶瓷介质电容器，30年代纯尘山末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电做中常数成兄岁倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容器，1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。

陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发，到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件，现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

Ⅲ 电容去离子技术缺点

成本高。电容去离子技术缺点是成本高，由于电容去离子技术是利用电极吸附离子进行金属离子的去除，因此必须定期进行脱附处理以保证电极的清洁，使得电容去离子模块存在吸附和脱附两个工作模式。

Ⅳ 电容的发明人和年代

分类: 理工学科
问题描述:

电容的发明人和年代？？？有发展史更好

解析:

莱顿瓶是由荷兰物理学家马森布洛克(p．V．musschenbrock，1696－1761)在1745－1746年间发明的。马森布洛克是荷兰莱顿人，故莱顿瓶因此而得名。那个“瓶子”就是一个电容

在那时候经常出现这种现象，即好不容易起得的李乱电往往在空气中逐渐消失。为了寻找一种保存电的方法，马森布洛清世克试图使电能贮藏在装水的瓶个。他将一根铁棒用两根丝线悬挂在空中，用起电机与铁棒相连；再用一根铜钱从铁棒引出，浸在一个盛有水的玻璃瓶中，然后开始实验，他叫一助手一手握住玻璃瓶，马森布洛克在旁使劲摇动起电机(一个绕轴旋转的玻璃球，球与人的手掌摩擦，就带电了)。实验见图所示。这时，他的助手不小心另一只手碰到铁棒，他猛然感到一次强烈的打击．全身部颤抖了一下，不禁喊叫起来。于是马森布洛克与助手互换了一下，让助手摇起电机，他自己用右手托住水瓶子，并用另一只手去碰铁棒，这时他的手臂与身体也产生一种无法形容的恐怖感觉，“好象受了一次雷击那样”。他由此得出结论，把带电体放在玻璃瓶内可以把电保存下来。只是当时搞不清楚起保存电荷作用(按现在说法是蓄电作用)的究竟是瓶子，还是瓶子里的答扰肢水?

不久，对莱顿瓶进行了改进，把玻璃瓶的内壁与外壁都用金属箔贴上。在莱顿瓶顶盖上插一根金属棒，它的上端连接一个金属球，它的下端通过金属链与内壁相连。这样莱顿瓶实际上是一个普通的电容器。若把它的外壁接地，而金属球连接到电荷源上，则在莱顿瓶的内壁与外壁之间会积聚起相当多的电荷。当莱顿瓶放电时可以通过相当大的电流。

莱顿瓶的发明，为科学界提供了一种贮存电的有效方法，为进一步深入研究电现象提供了一种新的强有力的手段，对电知识的传播与发展起了重要作用。

就在莱顿瓶发明的那一年，英国一名位叫考林森(P．Coullinson)的物理学家向远在美国费城的本杰明·富兰克林(B．Fanklin，1706－1790)邮寄了一只菜顿瓶，并在信中向他介绍了使用方法，这样莱顿瓶带来的电的知识很快传播到了北美。富兰克林对此极感兴趣，利用莱顿瓶作了一系列实验，并对莱顿瓶的功效进行了深入的分析。

Ⅳ 瓷片电容技术参数有哪些

瓷片电容技术的发展历程扰银李：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介搏稿电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃缓迟，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

Ⅵ 电去离子的技术特点

电去离子是结合了电渗析与离子交换两项技术各自的特点而发展起来的一项新技术，与普通电渗析相比，由于淡室中填充了离子交换树脂，大大提高了膜间导电性，显著增强了由溶液到膜面的离子迁移，破坏了膜面浓度滞留层中的离子贫乏现象，提高了极限电流密度；与普通离子交换相比，由于膜间高电势梯度，迫使水解离为H+和OH-，H+和OH-一方面参预负载电流，另一方面可以又对树脂起就地再生的作用，因此EDI不需要对树脂进行再生，可以省掉离子交换所必需的酸碱贮罐，也减少了环境污染。
因此电去离子超纯水系统具有如下优点：
（1）离子交换树脂用量极少，仅为IE法的5%左右。
（2）不需要再生，降低了劳动强度，节省了酸碱和大量清洁水，减少了环境污染。
（3）自动化程度高，易维护。
（4）单一系统连续运转，不需备用系统。