電容去離子技術發展史

Ⅰ EDI電去離子設備

西門子EDI模塊INPURELX-Z連續生產高純水，不需要化學葯劑。針對工業應用而開發。

EDI電去離回子設備

INPURELX-Z工業型膜堆利答用連續電去離子技術(CEDI)生產高純水，其產水水質等同甚至優於混床出水。INPURE膜堆可極其可靠的為電力、電子、太陽能、HPI/CPI、食品和飲料行業，以及實驗室提供高品質的高純水且不需要停機再生。

Ⅱ 大家了解陶瓷介質電容器的發展史嗎

1900年發明陶瓷介質電容器，30年代純塵山末人們發現在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電做中常數成兄歲倍增長，因而製造出較便宜的瓷介質電容器，1940年前後人們發現了現在的陶瓷電容器的主要原材料BaTiO3具有絕緣性後，開始將陶瓷電容器使用於對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設備當中。

陶瓷疊片電容器於1960年左右作為商品開始開發，到了1970年，隨著混合IC、計算機、以及便攜電子設備的進步也隨之迅速的發展起來，成為電子設備中不可缺少的零部件，現在的陶瓷介質電容器的全部數量約占電容器市場的70%左右。

Ⅲ 電容去離子技術缺點

成本高。電容去離子技術缺點是成本高，由於電容去離子技術是利用電極吸附離子進行金屬離子的去除，因此必須定期進行脫附處理以保證電極的清潔，使得電容去離子模塊存在吸附和脫附兩個工作模式。

Ⅳ 電容的發明人和年代

分類: 理工學科
問題描述:

電容的發明人和年代？？？有發展史更好

解析:

萊頓瓶是由荷蘭物理學家馬森布洛克(p．V．musschenbrock，1696－1761)在1745－1746年間發明的。馬森布洛克是荷蘭萊頓人，故萊頓瓶因此而得名。那個「瓶子」就是一個電容

在那時候經常出現這種現象，即好不容易起得的李亂電往往在空氣中逐漸消失。為了尋找一種保存電的方法，馬森布洛清世克試圖使電能貯藏在裝水的瓶個。他將一根鐵棒用兩根絲線懸掛在空中，用起電機與鐵棒相連；再用一根銅錢從鐵棒引出，浸在一個盛有水的玻璃瓶中，然後開始實驗，他叫一助手一手握住玻璃瓶，馬森布洛克在旁使勁搖動起電機(一個繞軸旋轉的玻璃球，球與人的手掌摩擦，就帶電了)。實驗見圖所示。這時，他的助手不小心另一隻手碰到鐵棒，他猛然感到一次強烈的打擊．全身部顫抖了一下，不禁喊叫起來。於是馬森布洛克與助手互換了一下，讓助手搖起電機，他自己用右手托住水瓶子，並用另一隻手去碰鐵棒，這時他的手臂與身體也產生一種無法形容的恐怖感覺，「好象受了一次雷擊那樣」。他由此得出結論，把帶電體放在玻璃瓶內可以把電保存下來。只是當時搞不清楚起保存電荷作用(按現在說法是蓄電作用)的究竟是瓶子，還是瓶子里的答擾肢水?

不久，對萊頓瓶進行了改進，把玻璃瓶的內壁與外壁都用金屬箔貼上。在萊頓瓶頂蓋上插一根金屬棒，它的上端連接一個金屬球，它的下端通過金屬鏈與內壁相連。這樣萊頓瓶實際上是一個普通的電容器。若把它的外壁接地，而金屬球連接到電荷源上，則在萊頓瓶的內壁與外壁之間會積聚起相當多的電荷。當萊頓瓶放電時可以通過相當大的電流。

萊頓瓶的發明，為科學界提供了一種貯存電的有效方法，為進一步深入研究電現象提供了一種新的強有力的手段，對電知識的傳播與發展起了重要作用。

就在萊頓瓶發明的那一年，英國一名位叫考林森(P．Coullinson)的物理學家向遠在美國費城的本傑明·富蘭克林(B．Fanklin，1706－1790)郵寄了一隻菜頓瓶，並在信中向他介紹了使用方法，這樣萊頓瓶帶來的電的知識很快傳播到了北美。富蘭克林對此極感興趣，利用萊頓瓶作了一系列實驗，並對萊頓瓶的功效進行了深入的分析。

Ⅳ 瓷片電容技術參數有哪些

瓷片電容技術的發展歷程擾銀李：1900年義大利L.隆巴迪發明陶瓷介質電容；30年代末人們發現在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數成倍增長，因而製造出較便宜的瓷介質電容；1940年前後人們發現了現在的瓷片電容技術參數的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性後，開始將瓷片電容技術參數使用於對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設備當中
1960年左右陶瓷疊片電容作為商品開始開發
1970年，隨著混合IC、計算機、以及便攜電子設備的進步也隨之迅速的發展起來，瓷片電容成為電子設備中不可缺少的零部件，而其中技術參數也是學者們研究的重點
現在的陶瓷介質電容的全部數量約占電容市場的70%左右
因為陶瓷介質電容的絕緣體材料主要使用陶瓷，其基本構造是將陶瓷和內部電極交相重疊
陶瓷材料有幾個種類
自從考慮電子產品無害化特別是無鉛化後，高介電系數的PB（鉛）退出瓷片電容技術參數領域，現在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3,CaZrO3(鋯酸鈣)等
和其它的電容相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產、價格低等優點
由於原材料豐富，結構簡單，價格低廉，而且電容量范圍較寬（一般有幾個PF到上百μF），損耗較小，電容量溫度系數可根據要求在很大范圍內調整
瓷片電容技術參數品種繁多，外形尺寸相差甚大從0402（約1×0.5mm）封裝的貼片電容到大型的功率瓷片電容
按使用的介質材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導體瓷片電容；按無功功率大小可分為低功率、高功率瓷片電容；按工作電壓可分為低壓和高壓瓷片電容；按結構形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨石、塊狀、支柱式、穿心式等
瓷片電容的分類：瓷片電容技術參數從介質類型主要可以分為兩類，即Ⅰ類瓷片電容技術參數和Ⅱ類瓷片電容技術參數
Ⅰ類瓷片電容技術參數（ClassⅠceramiccapacitor），過去稱高頻瓷片電容技術參數（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介質損耗小、絕緣電阻高、介搏稿電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質製造的電容
它特別適用於諧振迴路，以及其它要求損耗小和電容量穩定的電路，或用於溫度補償
Ⅱ類瓷片電容技術參數（ClassⅡceramiccapacitor）過去稱為為低頻瓷片電容技術參數（Lowfrequencycermiccapacitor），指用鐵電陶瓷作介質的電容，因此也稱鐵電瓷片電容技術參數
這類電容的比電容大，電容量隨溫度呈非線性變化，損耗較大，常在電子設備中用於旁路、耦合或用於其它對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中
常見的Ⅱ類瓷片電容技術參數有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示為：第一位X為最低工作溫度-55℃，第二位的數字7位最高工作溫度+125℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；X5R表示為：第一位X為最低工作溫度-55℃，第二位的數字5位最高工作溫度+85℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；Y5V表示為：第一位Y為最低工作溫度-30℃，第二位的數字5位最高工作溫度+85℃緩遲，第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示為：第一位Z為最低工作溫度+10℃，第二位的數字5位最高工作溫度+85℃，第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%

Ⅵ 電去離子的技術特點

電去離子是結合了電滲析與離子交換兩項技術各自的特點而發展起來的一項新技術，與普通電滲析相比，由於淡室中填充了離子交換樹脂，大大提高了膜間導電性，顯著增強了由溶液到膜面的離子遷移，破壞了膜面濃度滯留層中的離子貧乏現象，提高了極限電流密度；與普通離子交換相比，由於膜間高電勢梯度，迫使水解離為H+和OH-，H+和OH-一方面參預負載電流，另一方面可以又對樹脂起就地再生的作用，因此EDI不需要對樹脂進行再生，可以省掉離子交換所必需的酸鹼貯罐，也減少了環境污染。
因此電去離子超純水系統具有如下優點：
（1）離子交換樹脂用量極少，僅為IE法的5%左右。
（2）不需要再生，降低了勞動強度，節省了酸鹼和大量清潔水，減少了環境污染。
（3）自動化程度高，易維護。
（4）單一系統連續運轉，不需備用系統。