水熱法所需要的儀器設備

⑴ 用水浴加熱的方法加熱需要的玻璃儀器有幾種

燒杯、試管、燒瓶、錐形瓶等玻璃儀器都可以。
水浴加熱：先在一個大容器里加上水，然後把要加熱的容器放入加入水的容器中。加熱盛水的大容器通過加熱大容器里的水再通過水把熱量傳遞（熱傳遞）需要加熱的容器里，達到加熱的目的。
原理：因為在一標准大氣壓下且水無任何雜質，水達到沸點的條件是100攝氏度，但是從液態變到氣態還需要吸收更高的熱量。在水浴法里，燒杯里的水在變成水蒸氣前都只能有100攝氏度的溫度，無法為試管里的水提供更多的熱量，所以試管內的液體是不能沸騰的。所以常常利用這種溫度不改變的原理對一些需要定溫加熱的反應進行水浴加熱。

⑵ 水熱法制備二氧化鈦,尿素的原理

水熱法制備TiO2納米半導體材料

一、實驗目的

1.了解水熱法合成納米半導體材料的特點；

2.掌握用水熱法制備TiO2納米半導體材料的方法及具敗嘩談體操作流程。

二、實驗原理

水熱法材料合成是指在特製的密閉反應釜中，以水作為溶劑，通過對反應體系加熱和水的自身蒸汽壓，創造一個相對高溫、高壓的反應環境，使得通常難溶或不溶的物質溶解並且重結晶而進行無機合成與材料處理的一種有效方法。

在高溫高壓水熱體系中，水的性質將發生很大變化。例如：水的離子積和蒸汽壓變高，介電常數、密度、粘度和表面張力均變低等等。此時，物質在水中的物性與化學反應性能均發生很大變化，因此水熱反應與普通反應有很大的差別。一些熱力學分析上可能進行，而在常溫常壓下受動力學條件影響進行緩慢或難於進行的反應，在水熱條件下變得可行。

相對於傳統制備無機功能材料的方法，水熱法有以下特點：1) 低中溫液相控制，能耗較低，且適用性廣，可以合成各種形態的材料；2) 原料相對價廉，工藝較為簡單，反應產率高，可以直接得到物相均勻、結晶完好、粒度分布窄的粉體，而且產物分蘆碰散性好、純度高；3) 合成反應始終在密閉反應釜中進行，可控制氣氛而形成合適的氧化還原條件，實現其它手段難以獲取的某些物相的生成和晶化，尤其是有利於有毒物質體系，盡可能減少污染。

目前，水熱合成法作為一種新近發展起來的納米制備技術，在納米晶的液相合成和控制方面已經顯示出其獨特的魅力，相信其在新興材料制備領域必將發揮越來越重要的作用。

採用Ti(SO4)2為前驅物制備TiO2粉體的反應機理如下：

Ti4+ + 4 H2O → Ti(OH)4 + 4 H+( 1 )

Ti(OH)4→ TiO2 + 2H2O ( 2 ) Ti(SO4)2在水中溶解生成Ti4+離子，Ti4+離子經過水解生成難溶於水的Ti(OH)4 ，

1

Ti(OH)4聚集在一起形成初級粒子，脫水生成TiO2顆粒。反應( 1 )是個可逆反應，存在一個平衡點，隨著水熱反應的進行，生成越來越多的H+，H+的增多會促使反應向逆反應方向進行，抑制Ti4+的水解。因此我們在反應體系中引入了尿素，尿素會在反應過程中分解產生NH3。

(NH2)2CO + H2O → 2 NH3 + CO2( 3 ) NH3極易溶於水，與水生成(NH4)OH可以中和溶液中的H+，促進反應( 1 )正向進行。隨著水熱反應溫度的升高和時間的延長，尿素分解速度加快和分解量增多，有利於TiO2形成。

三、實驗設備和材料

1、實驗設備：磁力攪拌器，乾燥箱，離心機。

2、實驗材料：硫酸鈦，尿素，無水乙醇，去離子水，所用試劑均為分析純。

四、實驗內容與步驟

1、稱取1.8 g硫酸鈦和1.8 g尿素，將其置於35 mL去離子水中充分溶解；

2、將獲得的無色透明溶液倒入50 mL容積的聚四氟乙烯不銹鋼反應釜中，180 °C 下恆溫反應2 h；

3、反應結束後，用石棉手套將反應釜取出，並用龍頭水將其冷卻；

4、將獲得的白色沉澱物用去離子水、無水乙醇清洗若干遍後，產察碰物在70 °C下乾燥。

五、問題與討論

1、水熱法制備納米半導體材料的特點有哪些？

2、水熱法制備TiO2的機理是什麼，加入的尿素具有什麼作用？

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實驗1 水熱法制備TiO2納米半導體材料
水熱法制備TiO2納米半導體材料

一、實驗目的

1.了解水熱法合成納米半導體材料的特點；

2.掌握用水熱法制備TiO2納米半導體材料的方法及具體操作流程。

二、實驗原理

水熱法材料合成是指在特製的密閉反應釜中，以水作為溶劑，通過對反應體系加熱和水的自身蒸汽壓，創造一個相對高溫、高壓的反應環境，使得通常難溶或不溶的物質溶解並且重結晶而進行無機合成與材料處理的一種有效方法。

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在高溫高壓水熱體系中，水的性質將發生很大變化。例如：水的離子積和蒸汽壓變高，介電常數、密度、粘度和表面張力均變低等等。此時，物質在水中的物性與化學反應性能均發生很大變化，因此水熱反應與普通反應有很大的差別。一些熱力學分析上可能進行，而在常溫常壓下受動力學條件影響進行緩慢或難於進行的反應，在水熱條件下變得可行。

相對於傳統制備無機功能材料的方法，水熱法有以下特點：1) 低中溫液相控制，能耗較低，且適用性廣，可以合成各種形態的材料；2) 原料相對價廉，工藝較為簡單，反應產率高，可以直接得到物相均勻、結晶完好、粒度分布窄的粉體，而且產物分散性好、純度高；3) 合成反應始終在密閉反應釜中進行，可控制氣氛而形成合適的氧化還原條件，實現其它手段難以獲取的某些物相的生成和晶化，尤其是有利於有毒物質體系，盡可能減少污染。

⑶ 水熱法合成功能晶體材料新進展

周衛寧張昌龍霍漢德呂智盧福華左艷彬覃世傑

第一作者簡介：周衛寧，中寶協人工寶石專業委員會第二屆委員、第三屆副主任委員，桂林礦產地質研究院教授級高級工程師，國家特種礦物材料工程技術研究中心副主任。

水熱法是經典而又重要的人工合成晶體方法，在人工合成晶體的歷史上發揮了重要的作用，時至今日，水熱法仍然是某些重要晶體材料（如水晶等）最重要而有效的合成方法。我們曾經在國內率先開展了水熱法合成祖母綠、紅寶石、黃色藍寶石、無色藍寶石等寶石晶體的研究，並獲得了成功，曾小批量生產這些晶體供應市場，受到了消費者的歡迎，填補了我國水熱法合成寶石晶體的空白。近年來，為了滿足光電子高技術發展對功能晶體材料的需求，我們開展了水熱法合成磷酸鈦氧鉀（KTP）、氧化鋅（ZnO）晶體的研發工作，取得了重要進展。本文旨在通過報道這些進展以引起同行的重視，共同推動我國水熱法合成功能晶體材料事業的快速發展。

一、溫差水熱法合成晶體的基本原理

溫差水熱法合成晶體的基本原理是：利用晶體（物質）在一定的壓力下溶解度隨著溫度變化而變化的特點，將培養料放在高壓釜的高溫區溶解形成飽和溶液，通過對流輸運到低溫區形成過飽和溶液而結晶析出，生長出所需要的晶體材料。在實際應用中，為了達到快速、經濟地生長，往往在低溫區放置晶體籽晶，籽晶表面在過飽和溶液中生長出滿足我們需要的大塊晶體。

溫差水熱法合成晶體的關鍵設備高壓釜見圖1。

圖1 高壓釜及晶體生長示意圖

二、水熱法合成KTP晶體

磷酸鈦氧鉀（KTP）晶體是一種性能非常優良的非線性光學晶體，它具有非線性系數大、容許溫度和容許角度大、激光損傷閾值較高、化學性質穩定、不易潮解、抗熱沖擊性能好、機械強度適中、倍頻轉化效率高達 70%以上等特性。因此，在近紅外激光倍頻中，KTP是最好的晶體材料。它在軍事科研、高密度數據存儲、醫療、消耗型電子產品、海洋光學、激光探潛和環境遙感檢測等領域里都有著重要的應用。

目前生長 KTP晶體的方法主要有熔鹽法和水熱法兩種。熔鹽法生長的KTP晶體具有生長速度較快、成本低的優點。但是，由於熔鹽法的固有缺點（相對高的非恆定的生長溫度、溶液的黏滯性很大、體系容易被環境污染等），此法生長出來的KTP晶體，其完整性、均勻性及純度等均不如水熱法生長的KTP晶體好，而且其抗激光損傷閾值較水熱法 KTP要低一個數量級。目前熔鹽法生長的KTP晶體的抗激光損傷閾值一般為0.4～0.8GW/cm²，最高也只能達到 2GW/cm²，灰跡問題嚴重限制了它在中等以上功率激光器上的應用。隨著激光技術的飛速發展，對KTP晶體的抗激光損傷閾值要求越來越高（5GW/cm²，甚至10GW/cm²）。這樣，用鹽熔法技術生長的KTP晶體就達不到這方面的要求，因此，開展用水熱法生長高抗激光損傷閾值KTF晶體的技術研究就成為迫在眉睫的課題。

1.KTP晶體生長工藝

KTP晶體生長的有關工藝參數如表1所列，在此生長條件下，KTP晶體沿（011）面的生長速度為0.15～0.17mm/d，生長出來的晶體透明、無色，無包裹體，外形良好，晶體尺寸可達40mm×25mm×25mm，如圖2所示。

表1 水熱法生長KTP晶體的有關工藝參數

圖2 水熱法生長的KTP晶體

2.KTP晶體性能測試

（1）透過率

我們將水熱法生長的KTP晶體按 λ＝1064nm→532nm時的Ⅱ類相位匹配（θ＝90°，φ＝26°）關系將晶體加工成3mm×3mm×7mm的器件，在LAMBDA900分光光度計上測試了晶體從200～3000nm波段的通過率，如圖3所示。

圖3 水熱法KTP晶體的透過率曲線

從圖3可以看出，水熱法生長的KTP在450～2500nm波段內透過率曲線非常平坦，不存在任何吸收峰，且透過率超過80%。從圖上還可以看到，水熱法生長的KTP晶體在2750nm波段附近存在由OH－引起的強烈吸收，這是水熱法晶體的共性，與熔鹽法 KTP晶體有很大不同。但這一吸收峰並不影響水熱法KTP晶體在Nd:YAG激光器1064nm波長倍頻到532nm波長上的應用。

（2）抗激光損傷閾值

對同一樣品，我們進行了抗激光損傷閾值測試。測試參數如表2所列。

表2水熱法KTP晶體抗激光損傷閾值測試參數

在樣品的3個不同部位測量其損傷閾值，均為30mJ，根據公式：

，可得脈沖寬度內平均面功率密度為9.5GW/cm²，該晶體064nm波長激光的損傷閾值為9.5GW/cm²。

三、水熱法合成氧化鋅（ZnO）晶體

襯底材料是發展微電子產業的重要基礎性材料，大尺寸、高質量的氧化鋅（ZnO）晶體是研究製作GaN,ZnO等發光電子器件的重要襯底材料，特點是：作為Zn（）薄膜的襯底材料，ZnO單晶具有任何其他襯底材料無法比擬的優勢——同質外延，因此其應用潛力巨大，市場前景寬廣。可以預計，隨著ZnO器件產業化的到來，對ZnO單晶的需求也會越來越大。因此重視並發展大尺寸高質量ZnO單晶的生長技術，不僅可以為今天ZnO器件的研究提供合適的襯底材料，更重要的是為將來ZnO器件的產業化打下堅實的基礎。

1.氧化鋅（ZnO）晶體生長工藝及生長結果

水熱法生長ZnO晶體所用的原料是由分析純ZnO粉末經等靜壓成型後在1200℃燒結而成的，有關的生長工藝參數見表3。

表3氧化鋅晶體的水熱法生長條件

在上述條件下，我們已經生長出了尺寸達到25mm×25mm×10mm的Zn（）晶體，其顏色為淺黃綠色，透明。晶體外形呈規則的六角對稱形狀，主要顯露面為

（圖4）。各方向的生長速度為：v

（即[0001]方向）方向與－C（即

方向]）方向生長速率差異明顯，前者大約是後者的兩倍，這是因為Zn（）晶體本身具有極性，晶體＋C面為帶正電荷的Zn原子面，－C面為帶負電荷的（）原子面，所以溶液中的負離子生長基團在＋C方向大於－C方向疊合速率。從結果可以看到柱面

生長速率比較緩慢，這是目前用水熱法生長更大尺寸的ZnO晶體所需要解決的關鍵問題之一

圖4 水熱法生長的ZnO晶體及其形貌示意圖

2.氧化鋅（ZnO）晶體性能測試

採用等離子體質譜分析（ICP-MS）對晶體＋C部分新生長層中的雜質含量進行了分析，結果如表4所示。從中可以看出由於沒有使用高純度的原料，造成晶體中雜質的含量比較大，特別是Al,Fe,K,Si,Pb等元素，其中的Au應是來自於黃金襯套管。

表4水熱法氧化鋅晶體雜質元素分析結果

取晶體＋C部分切片，對晶體（0001）面進行機械拋光後進行雙晶搖擺曲線w掃描，所得到曲線如圖5所示。從中可看出，其半峰寬為FWHM值為60弧秒，考慮到儀器入射X射線發散角為12弧秒，所以結果表明該樣品晶體結構完整性較好。

圖5 水熱法ZnO晶體雙晶搖擺曲線

四、結束語

我們應用水熱法合成 ,ZnO晶體的工作已取得重要進展，基本確定了KTP,ZnO晶體的水熱法生長工藝條件，合成出了可供實際應用的晶體材料。我們相信，這些材料的合成成功，將為我國相關產業的快速發展提供有利條件。

作者衷心感謝曾驥良教授、陳振強教授對本研究工作的指導和幫助！

參考文獻

邱志惠，霍漢德，阮青鋒等.2006.水熱法KTP晶體生長及形貌特徵.廣西師范大學學報（自然科學版），24（2）:52～55.

阮青鋒，霍漢德，覃西傑等.2006.水熱法 KTP晶體生長與宏觀缺陷研究.人工晶體學報，35（3）:608～611.

Zhang Chang-long,Huang Ling-xiong,Zhou Wei-ning et al.2006.Growth of KTP crystals with high damage threshold by hydrothermal method.Journal of Crys-tal Growth,292.364～367.

⑷ 寶石晶體水熱法生長的原理和技術

曾驥良周衛寧張昌龍霍漢德

第一作者簡介：曾驥良，中寶協人工寶石專業委員會第一、二屆副主任委員，第三屆高級顧問，原廣西寶石研究所所長，教授級高級工程師。

一、引言

自20世紀60年代全世界掀起「人工寶石熱」以來，人工寶石晶體及其飾品越來越受到人們的重視與喜愛，這是因為：①天然寶石資源日趨枯竭，特別是質優粒大的名貴寶石罕見，供不應求，價格昂貴；②人工寶石晶體，特別是水熱法生長的許多寶石晶體，在生長條件和寶石學特徵等方面與天然寶石晶體極為相似；③隨著社會經濟的發展和人們生活水平的提高，特別是在經濟發達的國家和地區，人們的珠寶消費觀念已發生深刻的變化，追求寶石文化品位和首飾時尚是此變化的主要特徵。在此背景下，我們開展了彩色藍寶石等寶石晶體的水熱法生長技術研究及工程化開發，自主設計了可在t≤600℃和p≤200MPa條件下安全可靠、長周期連續工作的φ22mm×250mm，φ30mm×510mm，φ42mm×760mm和φ60mm×1100mm系列高壓釜及其配套的溫差井式電阻爐，解決了過飽和度控制、致色離子緩釋、氧化－還原調控等多項技術難題，成功地合成出大塊度、高品質的彩色藍寶石晶體（圖1,2,3），加工了彩色藍寶石飾品（圖4）。本文根據上述研究成果論述了寶石晶體水熱法生長的原理和技術。

圖1 水熱法生長的紅色系列剛玉寶石晶體

圖2 水熱法生長的藍色剛玉寶石晶體

圖3 水熱法生長的黃色剛玉寶石晶體

圖4 水熱法生長的彩色剛玉寶石刻面飾品

二、生長原理

寶石晶體水熱法生長原理是：將待生長寶石晶體所需原料溶解於高溫高壓的礦化劑水溶液中而形成飽和溶液，並採取適當技術措施將飽和溶液再轉化為過飽和溶液，而寶石晶體則在此過飽和溶液中或成核生長或籽晶生長，最終生成塊狀寶石晶體。目前普遍採用溫差法，並大多採用籽晶，我們稱之為籽晶溫差水熱法，它適宜於具有較大的溶解度及溫度系數的寶石晶體生長，是人工寶石晶體產業化的重要方法。

籽晶溫差水熱法的基本原理是：在寶石晶體生長的水熱體系中，建立一個恆定而又穩定的溫度梯度，即在原料溶解的高溫區和籽晶生長的低溫區之間，在整個生長過程中，始終維持一個恆定而又穩定的溫差。於是，在溶解區形成的飽和溶液通過溫差對流再輸運到生長區而轉變成亞穩過飽和溶液，籽晶便在此溶液中最終生長成塊狀寶石晶體。由此可見，籽晶溫差水熱法的關鍵是：①建立一個恆定而又穩定的溫差；②籽晶生長區的溶液始終被維持在一個適宜而又穩定的亞穩過飽和狀態。

三、生長技術

1.高壓釜和電阻爐的設計製造技術

（1）φ60mm×1100mm型高壓釜

高壓釜是寶石晶體水熱法生長的關鍵設備，其性能優劣直接關繫到寶石晶體生長的成敗。φ60mm×1100mm型高壓釜的結構見圖5。

φ60mm×1 100mm型高壓釜設計和製造的技術要點是：①精心挑選的高溫合金，不僅要有高的高溫機械強度，而且要有良好的塑性和耐沖擊韌性；②嚴格設計強度計算及其校核（王心明，1986）；③對選定的高溫合金嚴格熱處理；④在高溫合金熱處理前後及其機械加工後均要嚴格探傷檢驗；⑤高壓釜使用前，在室溫高壓（100～220MPa）和高溫（490～600℃）高壓（100～180MPa）條件下，嚴格進行耐壓試驗，保壓時間分別為1h和34～35h。

研究結果表明，隨著高壓釜反應腔尺寸的增大，其熱容量和熱穩定性提高，溫度波動性減小，晶體尺寸增大，生長速度增快，台日產量提高，晶體質量也有所改善（表1）。因此，設計製造反應腔尺寸更大的高壓釜（最高工作溫度和壓力為t≤600℃和p≤200MPa）仍是研究開發的一項重要任務。

圖5 φ60mm×1100mm型高壓釜的結構示意圖

1—隔熱阻擋層；2—釜體；3—下螺母；4—下法蘭；5—上法蘭；6—上螺母；7—螺柱；8—壓墊；9—頂緊螺釘；10—接頭；11—密封環；12—壓環；13—釜塞；14—密封環；15—壓環；16—釜塞；17—防爆裝置

數據單位：mm

（2）電阻爐

溫差井式電阻爐，按下述技術原則設計製造：①爐膛下部高溫區對應於高壓釜反應腔下部高溫溶解區，而其上部低溫區則對應於反應腔上部低溫結晶區，兩區之間存在正溫差，並可對其調控；②結晶區應盡可能長，溫度梯度應盡可能小；③加熱升溫速率適宜，保溫效果盡可能好，爐外壁散熱盡可能均勻；其技術關鍵是加熱電功率的合理分配，對此我們按三段加熱、兩點控溫的方案進行設計製造。

φ60mm×1100mm型高壓釜反應腔內的溫度曲線如圖6所示，高溫高壓條件下在黃金襯管內測定的溫度曲線如圖7所示。圖6與圖7表明，結晶區長度為600～640mm，平均溫度梯度為0.11～0.22℃/cm，反應腔內和黃金襯管內的溫度波動≤0.2℃，適宜於寶石晶體水熱法生長。

2.控溫測溫技術

溫度及其溫場特性對寶石晶體的水熱法生長至關重要，對此採取了下列7項技術措施，改進完善了控溫測溫技術。

1）電阻爐改進：①將爐膛改為帶有均勻分布小孔（φ6mm）和等距分布外螺紋槽（R8mm）的剛玉管，因而熱交換更充分、更迅速、更及時；②增大了加熱電功率，因而提高了初始升溫速率，縮短了升溫時間，同時也有利於調整各段加熱電功率的匹配關系；③改整體為兩體製造工藝，這不僅便於製作，而且使保溫效果更好，爐壁散熱更均勻。

表1 紅寶石晶體水熱法生長結果對比

圖6 φ60mm×1100mm型高壓釜反應腔內的溫度－高度曲線

圖7 黃金襯管內的溫度－高度曲線

2）增設隔熱阻擋層：在爐膛與高壓釜釜體之間增設了由不銹鋼隔熱圈和硅酸鋁纖維毯隔熱層組成的隔熱阻擋層。它將爐膛下部高溫區與上部低溫區隔開，有效地抑制了兩區之間的熱對流，確保了所需要的正溫差及其溫差的穩定性。

3）增設熱電耦定位裝置：增設的熱電耦定位裝置，一方面使下部控溫熱電耦的熱端與高壓釜釜體底部緊密、定位、定點接觸，使控溫重現性好；另一方面又能使電阻爐底部的熱量損失大大降低，使爐溫更穩定。

4）增設冷端恆溫補償箱：箱內蒸餾水恆定在45℃，其溫度波動最大為±0.01℃。將熱電耦冷端插入此恆溫箱內，避免了因環境溫度波動而造成爐膛內的溫度波動。

5）用雙支代替單支鎧裝熱電耦：用雙支代替單支鎧裝熱電耦，實現了一點雙測雙控，大大地提高了設備運行的安全可靠性。

6）採用 UP350上位機監測系統：採用UP350上位機監測系統，實現了對爐溫的實時監測和實時記錄。

7）採用內測溫技術：在近似於寶石晶體水熱法生長的條件下，在黃金襯管內直接測定了溫度曲線（圖7），該曲線更真實地反映了晶體生長時的溫度及溫場特性。

3.礦化劑選擇和溶解度測定技術

（1）礦化劑的選擇

礦化劑對於寶石晶體的水熱法生長非常重要。我們認為寶石晶體在高溫高壓的礦化劑水溶液中形成了與寶石晶體中配位多面體結構相類似的配合離子，並有利於寶石晶體的生長。因此，必須依據寶石晶體結構化學式中心元素的離子構型、配位原子的電負性和配位體的鹼性度等技術原則（武漢大學，1983）來選擇礦化劑。所選擇的礦化劑還應使寶石晶體具有一致溶解的特性，並具有較大的溶解度及溫度系數。

（2）溶解度測定

寶石晶體在高溫高壓礦化劑水溶液中的溶解度及溫度系數是設計寶石晶體水熱法生長工藝技術的重要依據。我們在等溫爐內，採用淬冷法並根據寶石晶體的前後失重來測定其溶解度。為防止雜質干擾，使用了黃金襯管，即將寶石晶體碎粒（粒徑3～5mm）和礦化劑水溶液密封於襯管內；為在淬冷過程中及時將晶體與溶液分離，將裝有晶體碎粒、帶有均勻分布小孔的黃金籃懸掛於礦化劑溶液之上；為確保溶解反應平衡，預先進行了動力學試驗，即溶解度大小與溶解持續時間的關系試驗；為確定溶解是否為一致溶解，對溶解反應後的固相產物進行了分析鑒定。

剛玉寶石晶體中的配位多面體為[AlO₆]，中心Al^3＋為8電子型，與L為F^－、OH^－、O^2－等離子形成配合離子[AlL₆]^3－，其中最有利於配合的是F^－，但F^－與致色離子Cr^3＋生成不溶化合物CrF₃，因而選擇OH^－。此外，有價值的紅寶石礦床多產於碳酸鹽岩石中，因而最終選擇了鹼金屬碳酸鹽作為礦化劑。我們所測定的焰熔法紅寶石晶體的溶解度曲線如圖8所示。結果表明，適宜於籽晶溫差水熱法生長。

圖8 紅寶石晶體在KHCO₃和NaHCO₃水溶液中的溶解度曲線（p=200MPa）

4.過飽和度控制技術

前已指出，籽晶溫差水熱法生長寶石晶體的技術關鍵是：在整個生長過程中，生長區的溶液必須始終維持在一個適宜而又穩定的亞穩過飽和狀態。亞穩過飽和度區的大小、趨向可用過飽和度來估計（張克從等，1997）。從此意義上講，亞穩過飽和度的控制技術實質上仍是過飽和度的控制技術。試驗研究表明，在選定的水熱生長體系裡，結晶溫度及其溫差以及擋板開孔率是影響過飽和度的主要外部因素。

（1）結晶溫度和溫差的控制技術

溫度和溫差控制技術上已述及，不再重復，但需要強調的是，確定結晶溫度和溫差之間的匹配關系至關重要。在實際工作中，我們主要根據高壓釜長周期安全工作的最高溫度和壓力、寶石晶體水熱法生長體系中的液固比（即初始加入的礦化劑水溶液體積（mL）與固體原料質量（g）之比）等選定原料溶解區的最高溫度，再根據溶解度曲線所確定的亞穩過飽和區溫度范圍來選定結晶溫度，最後經試驗確定它們之間的最佳匹配關系。對於φ42mm×760mm型高壓釜及其配套電阻爐，紅寶石晶體優質快速生長的最佳匹配的溫度參數如表2所列。

表2 反應腔最佳匹配的溫度參數

（2）擋板及其開孔率

在黃金襯管內溶解區和結晶區之間設置開孔的擋板，調控寶石晶體水熱生長體系的溶液對流或質量輸運，以達到控制溶液過飽和度的目的。

在實際工作中，可依據是否發生成核生長來判斷過飽和度控制的正確性和有效性；若發生成核生長（成核生長的細小晶體往往附著在黃金襯管內壁的上部以及籽晶架的上部），表明結晶區溶液已超出亞穩過飽和區，因而需要減小溫差或增大擋板開孔率，以保持溶液處在亞穩過飽和區。

5.致色離子緩釋技術

黃色藍寶石晶體水熱法生長實驗中，當致色劑Ni₂O₃直接加入到襯管底部時，隨著原料中Ni₂O₃含量由1.66%降低到0.05%，晶體顏色產生黑色→深褐色→褐黃色的變化，表明Ni₂O₃含量直接影響藍寶石的顏色。因此，通過特殊裝置控制致色離子的釋放速度和數量，可保證寶石顏色的純正和均勻。

6.氧化－還原調控技術

黃色藍寶石（俗稱黃寶石）是一種摻Ni^3＋的藍寶石晶體（Ni^3＋:α-Al₂O₃），而致色劑 Ni₂O₃在水熱生長體系裡，有可能發生下列反應：

中國人工寶石

因此，需對其氧化－還原能力進行調控。對此，我們根據氧化－還原的基本原理，應用相關元素的電勢圖，選擇適宜的氧化劑（或還原劑）直接加入水熱生長體系中，以控制其氧化－還原能力，即達到控制致色離子價態的目的，使黃寶石晶體呈現出純正的黃色。否則，晶體呈現黃綠色、草綠色，這是因為Ni^2＋和Ni^3＋均摻入晶體（Ni³⁺+Ni^2＋：α-Al₂O₃）而使其致色的結果。

7.彩色混合技術

為研究開發紅寶石晶體新的顏色品種，依據晶體化學和氧化－還原反應原理及晶體呈色機理等，採用了兩種或多種顏色相互混合而產生新顏色品種的彩色混合技術。若要求顏色品種的明度和純度提高，則採用加色混合技術；反之，則採用減色混合技術。我們採用該技術，成功地生長出了新顏色品種的紅寶石晶體，該晶體呈現漂亮的鮮紅色，其明度和純度均得到提高。

8.生長體系相態及其判別

水熱生長體系的相態指的是在給定的物理化學條件（如溫度、壓力、礦化劑溶解度等）下，體系究竟是處在液相、氣相、氣－液共存相和超臨界相的哪一個相區，這既是人工晶體（包括人工寶石晶體和人工功能晶體）溶解－結晶平衡、也是人工晶體水熱法生長的關鍵問題。研究結果表明：①人工晶體在液相區和超臨界相區的溶解度大，且往往隨礦化劑濃度的增大而增大，隨溫度、壓力的提高而提高，因而有利於晶體生長；②在上述兩均勻相區內，物質和熱量的輸運均勻而又穩定，因而有利於生長高品質晶體；③相對於超臨界流體相，人工晶體在液相區的生長壓力和溫度較低，因而有利於設計製造大口徑高壓釜以生長大尺寸晶體。在實際工作中，可依據人工晶體中的包裹體類型及均一溫度（盧煥章等，1990）、水熱生長體系的P-V-T-C-F曲線等進行判斷。

四、結束語

通過項目研究及其成果工程化，我們成功地自主設計製造了系列高壓釜及配套電阻爐，開發了整套水熱法生長彩色藍寶石的技術工藝，小批量生產了高品質的彩色藍寶石，填補了國家空白。同時，項目的設備和技術對水熱法合成其他寶石具有重要的指導和借鑒作用。

參考文獻

盧煥章等.1990.包裹體地球化學.北京：地質出版社.

王心明編.1986.工程壓力容器設計與計算.北京：國防工業出版社.

武漢大學等編.1983.無機化學.北京：高等教育出版社.

張克從等.1997.晶體生長科學與技術.北京：科學出版社.

⑸ 欲給100ml水加熱,需要哪些儀器

（1）取用粉末狀固體葯品，可選用的儀器是葯匙，故填：E；
（2）量取一定體積的液體，可選用的儀器是量筒H和膠頭滴管，故填：AC；
（3）欲給100mL水進行加熱，除了需要帶鐵圈的鐵架台．石棉網，還需要燒杯、量筒、膠頭滴管和酒精燈，故填：ACFH．

⑹ 示波器怎樣測量晶振

有的示波器自帶硬體頻率計，精度會更高一些。

晶振對電容負載較敏感，當使用×1擋時，探頭電容相對較大，相當於一個很重的負載並聯在晶振電路中，很容易使其停止振盪，因此我們使用10X檔的探頭更佳。

我們將示波器通道設置為交流耦合，10X檔位。確保晶振主板上電運行後，拔掉探頭的套子，露出探針。將探頭夾子接到主板地線即供電負極端，探針針尖接觸到晶振的其中一個引腳。

另外，晶振的輸出邊沿一般比較陡，上升時間較短，因為晶振的輸出中包含了較多的高頻分量，因此應該將其當作高頻信號來看待。探頭×1擋的帶寬有限制，而探頭×10擋是全帶寬開啟的，因此必須選用×10擋進行測量。